二氧化硅是一種重要的無機材料，在紅外光譜分析中具有廣泛的應用。紅外光譜是通過測量物質在紅外輻射區(qū)域的吸收和散射來研究其分子結構和化學特性的一種方法。
二氧化硅的紅外光譜測定主要基于其分子振動模式引起的吸收峰。在紅外光譜圖上，常見的吸收峰包括伸縮振動、彎曲振動和對稱拉伸振動等。
二氧化硅的主要吸收峰位于1000-1200cm^-1的區(qū)域，這些峰代表了硅氧鍵的伸縮振動。此外，還存在于800-1100cm^-1范圍內的Si-O-Si彎曲振動峰。這些振動模式提供了關于二氧化硅的分子結構和鍵合情況的信息。
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二氧化硅的紅外光譜測定的方法通常涉及將樣品制備成適當的形式，如固體薄片、顆粒或溶液，并利用紅外光譜儀進行測量。儀器通過向樣品施加紅外輻射，測量經過樣品后未被吸收的光的強度變化。
在進行紅外光譜測定時，需要注意一些因素。首先，樣品應該足夠純凈，以避免其他雜質對光譜結果的影響。其次，在選擇紅外輻射源和檢測器時，應根據所需的波長范圍和靈敏度進行合理選擇。此外，還需要校準儀器，并使用適當的參考物質進行光譜數據的分析和解釋。
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產品型號：FTIR920
更新時間：2025-07-30
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